В разделе  предложены импортные электронные компоненты нескольких типов полевых транзисторов различного номинала , назначения: Силовые MOSFET-транзисторы, Сборки комплементарных пар MOSFET транзисторов.

*все цены указаны с учетом налогов

Всего в категории: 1310 поз.

Страница: [1]2 3  >>   Выводить по 25 50 100 250 500 позиций

Наименование: Производитель: Описание: Цена мелкооптовая: Цена розница: Кол-во на складе: Заказ: 70N06L-TA3-T Unisonic Technologies N-channel Power MOSFET, Vdss=60V, Id=70A, Pd=200W, Rds(on)=15 mOhm 48 руб. 0 коп. 61 руб. 0 коп. 9540NPBF International Rectifier P-Channel HEXFET Power MOSFET, Vds=100V, Id=23A, 42 руб. 50 коп. 53 руб. 50 коп. <100 AO4614 Alpha & Omega Semiconductor Complementary Enhancement Mode FET, Vds=40V, n-channel:Id=6A,Rds(on)=31 mOhm,p-channel: Id=5A, Rds(on)=45 mOhm, Pd=2W 23 руб. 0 коп. 29 руб. 50 коп. AOTF450L Alpha & Omega Semiconductor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 200V, 5.8A 27W 20ns 0,7 Ohm 80 руб. 0 коп. 102 руб. 0 коп. <10 B0210D BITEK N-Channel 100-V (D-S) MOSFET logic enhancement mode, Id=10A, Pd=25W, Rds(on)=220 mOhm 44 руб. 50 коп. 57 руб. 0 коп. <10 B3942 BITEK N- and P-Channel 30-V (D-S) logic enhancement mode MOSFET, n-channel:Id=6,9A,Rds(on)=24 mOhm,p-channel:Id=6,1A,Rds(on)=25 mOhm,Pd=2W 62 руб. 0 коп. 78 руб. 0 коп. <10 BS170F DIODES INC. N Channel, Id=150mA, Vds=60V, Rds(on)=5ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=3V, Pd=330mW, корпусSOT-23-3, t-150°C 9 руб. 50 коп. 11 руб. 50 коп. BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies N-channel Small-Signal-Transistor, Vds=200V, Id=0,48A, Rds(on)=3,5 Ohm, Ptot=1,8W 97 руб. 0 коп. 123 руб. 50 коп. BSP75N DIODES INC. N Channel, Id=1.1A, Vds=60V, Rds(on)=0.5ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=2.1V, Pd=1.5W, корпусSOT-223-3, t-150°C 87 руб. 0 коп. 111 руб. 50 коп. <100 BUK98180-100A,115 Next Experience N Channel, Id=4.6A, Vds=100V, Rds(on)=0.147ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=1.5V, Pd=8W, корпусSOT-223-4, t-150°C 55 руб. 0 коп. 69 руб. 50 коп. FCPF11N60 Fairchild N Channel, Id=11A, Vds=600V, Rds(on)=0.32ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=5V, Pd=36W, корпус-TO-220F-3, t-150°C 57 руб. 0 коп. 73 руб. 50 коп. FQP4N90C Fairchild N-Channel QFET MOSFET,Vdss=900V, Id=4A, Rds(on)=4,2 Ohm, Pd=140W 95 руб. 0 коп. 121 руб. 0 коп. FS10KM-10 Mitsubishi N-channel Power MOSFET High-Speed Switching, Vdss=500V, Id=10A, Pd=35W, Rds(on)=0,9 Ohm 49 руб. 50 коп. 63 руб. 0 коп. FS10KM-10A Mitsubishi N-channel Power MOSFET High-Speed Switching, Vdss=500V, Id=10A, Pd=35W, Rds(on)=0,9 Ohm 59 руб. 50 коп. 75 руб. 50 коп. <100 FS10KM-12 Mitsubishi N-channel Power MOSFET High-Speed Switching, Vdss=600V, Id=10A, Pd=40W, Rds(on)=0,94 Ohm 46 руб. 0 коп. 58 руб. 0 коп. FS10KM-12A Mitsubishi N-channel Power MOSFET High-Speed Switching, Vdss=600V, Id=10A, Pd=35W, Rds(on)=0,94 Ohm 58 руб. 50 коп. 74 руб. 50 коп. FS10TM-10 Mitsubishi N-channel MOSFET, Vds=30V, Id=10A, Pd=15W 57 руб. 0 коп. 57 руб. 0 коп. FS2KM-12 Mitsubishi N-channel Power MOSFET High-Speed Switching, Vdss=600V,Id=2A, Pd=30W, Rds(on)=6,4 Ohm 72 руб. 0 коп. 91 руб. 50 коп. FS2KM-16A Mitsubishi N-channel Power MOSFET High-Speed Switching, Vdss=800V, Id=2A, Pd=30W, Rds(on)=6 Ohm 46 руб. 0 коп. 46 руб. 0 коп. FS2KM-18A Mitsubishi N-channel Power MOSFET High-Speed Switching, Vdss=900V, Id=2A, Pd=30W, Rds(on)=7,3 Ohm 46 руб. 0 коп. 58 руб. 0 коп. FS3KM-10 Mitsubishi N-channel Power MOSFET High-Speed Switching, Vdss=500V,Id=3A,Pd=30W, Rds(on)=4,4 Ohm 54 руб. 0 коп. 68 руб. 50 коп. <10 FS3KM-18(A) Mitsubishi N-channel Power MOSFET High-Speed Switching, Vdss=900V, Id=3A, Pd=30W, Rds(on)=4,0 Ohm 62 руб. 0 коп. 78 руб. 0 коп. <10 FS3KM-9 Mitsubishi N-channel Power MOSFET, Vdss=450V, Id=3A, Pd=30W, Rds(on)=3,5 Ohm 79 руб. 0 коп. 78 руб. 0 коп. FS4KM-12 Mitsubishi N-channel Power MOSFET, High-Speed Switching, Vdss=600V,Id=4A, Pd=35W, Rds(on)=2,6 Ohm 57 руб. 0 коп. 73 руб. 50 коп. FS5KM-10 Mitsubishi N-channel Power MOSFET, Vdss=500V, Id=5A, Pd=35W,Rds(on)=1,8 Ohm 54 руб. 0 коп. 54 руб. 50 коп.

Страница: [1]2 3  >>   Выводить по 25 50 100 250 500 позиций