*все цены указаны с учетом налогов

Всего в категории: 331 поз.

Страница: [1]2 3  >>   Выводить по 25 50 100 250 позиций

Наименование: Производитель: Описание: Цена мелкооптовая: Цена розница: Кол-во на складе: Заказ: 14CL40 Fairchild Ignition IGBT Features, Most Rugged in Industry, Logic-Level Gate Drive, BVces=400V, Ic=14A, Pd=125W 115 руб. 0 коп. 146 руб. 50 коп. <100 1MBH15D-060-F218 Fujitsu Microelectronics Molded IGBT, Vces=600V, Ic=37A, Pc=140W, Vce(sat)=3,0V 270 руб. 50 коп. 282 руб. 0 коп. 32N50Q IXYS Corporation N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg 261 руб. 0 коп. 333 руб. 50 коп. 5104DB ON Semiconductor IGBT, DC=20A, Vce(on)=1.4V, Pd=125W, V(br)ceo=430V 211 руб. 0 коп. 269 руб. 0 коп. <10 5401DM Fairchild Logic Level Interally Clamped N-channel IGBT, Vces(typ)=405V(clamped), Ic=20A, Pd=150W, Vce(on)=1,8V 211 руб. 0 коп. 269 руб. 0 коп. <100 DG3C3020CL (DG302) Panasonic (Matsushita) Power IGBT for PDP, Vces=330V, Ic=45A, Vce(sat)=1,3V, tf=240nS 61 руб. 0 коп. 77 руб. 0 коп. <10 FGH40N60SMDF Fairchild IGBT, DC=80A, Vce(on)=600V, Pd=349W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247AB-3, tmax-175°C 295 руб. 50 коп. 377 руб. 0 коп. FGH40N65UFDTU Fairchild IGBT, DC=80A, Vce(on)=650V, Pd=290W, V(br)ceo=650V, корпус-TO-247AB-3, tmax-150°C 160 руб. 0 коп. 204 руб. 0 коп. FGH40T100SMD No name 464 руб. 0 коп. 540 руб. 50 коп. FNA41560B2 Fairchild Smart Power Module 200 руб. 50 коп. 256 руб. 0 коп. HGTG11N120CND Fairchild IGBT, DC=43A, Vce(on)=2.4V, Pd=298W, V(br)ceo=1.2kV, корпус-TO-247-3, tmax-150°C 195 руб. 50 коп. 249 руб. 0 коп. IGW60T120 Infineon Technologies IGBT, DC=60A, Vce(on)=2.4V, Pd=375W, V(br)ceo=1.2kV, корпус-TO-247-3, tmax-150°C 196 руб. 50 коп. 251 руб. 0 коп. <10 IRG4RC20F International Rectifier Fast Speed IGBT, Vces=600V, Ic=22A, Vce(on)typ=1,82V, Pd=66W 94 руб. 0 коп. 120 руб. 50 коп. <10 ISL9V3040P3 (V3040P) Fairchild EcoSPARK 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT, Ic=21A, Pd=150W 143 руб. 50 коп. 182 руб. 0 коп. <10 K4N60LV Infineon Technologies Fast IGBT in NPT-technology, Vce=600V, Ic=4A, Ptot=50W, Vce(sat)=2,3V 88 руб. 0 коп. 111 руб. 50 коп. MG75J2YS50 Toshiba GTR Module Silicon N Channel IGBT 4274 руб. 50 коп. 4048 руб. 50 коп. RJH60T4DPQ Renesas Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching, Vces=600V, Ic=60A, Vce(sat)=1,7V, Pc=235,8W 301 руб. 0 коп. 313 руб. 50 коп. STGP7NC60HD ST MICROELECTRONICS IGBT, DC=25A, Vce(on)=2.5V, Pd=80W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-220-3, tmax-150°C 175 руб. 50 коп. 224 руб. 0 коп. STGW40NC60WD No name IGBT, DC=70A, Vce(on)=2.5V, Pd=250W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247-3, tmax-150°C 266 руб. 50 коп. 340 руб. 50 коп. VS-GA200SA60UP No name IGBT, DC=200A, Vce(on)=1.92V, Pd=500W, V(br)ceo=600V, корпус-SOT-227-4, tmax-150°C 3997 руб. 50 коп. 5102 руб. 0 коп. APT 40GP90B Advanced Power Technology POWER MOS 7 IGBT,Vces=900 V, Ic= 100 A, Pd=543W, Vce(on)=2,7V 637 руб. 0 коп. 664 руб. 0 коп. APT 40GP90B Advanced Power Technology POWER MOS 7 IGBT,Vces=900 V, Ic= 100 A, Pd=543W, Vce(on)=2,7V 637 руб. 0 коп. 664 руб. 0 коп. APT 44GA60BD30 Microsemi High Speed PT IGBT, Vces=600V, Ic=78A, Vce=2,0V, Pd=337W 224 руб. 50 коп. 286 руб. 50 коп. APT 50GN60B Advanced Power Technology 600V Field Stop Trench Gate: Low VCE(on) Ic1=107 A 271 руб. 50 коп. 260 руб. 50 коп. <10 APT 50GN60B Advanced Power Technology 600V Field Stop Trench Gate: Low VCE(on) Ic1=107 A 271 руб. 50 коп. 260 руб. 50 коп. <10

Страница: [1]2 3  >>   Выводить по 25 50 100 250 позиций