*все цены указаны с учетом налогов

Всего в категории: 309 поз.

Страница: [1]2 3  >>   Выводить по 25 50 100 250 позиций

Наименование: Производитель: Описание: Цена мелкооптовая: Цена розница: Кол-во на складе: Заказ: 14CL40 Fairchild Ignition IGBT Features ?Most Rugged in Industry ?Logic-Level Gate Drive,BVces=400V, Ic=14A, Pd=125W 96 руб. 50 коп. 123 руб. 0 коп. <100 1MBH15D-060-F218 Fujitsu Microelectronics Molded IGBT, Vces=600V, Ic=37A, Pc=140W, Vce(sat)=3,0V 227 руб. 0 коп. 237 руб. 0 коп. 5401DM Fairchild Logic Level Interally Clamped N-channel IGBT, Vces(typ)=405V(clamped), Ic=20A, Pd=150W, Vce(on)=1,8V 158 руб. 0 коп. 201 руб. 50 коп. <10 5503DM 386 руб. 50 коп. 450 руб. 50 коп. DG3C3020CL (DG302) Panasonic (Matsushita) Power IGBT for PDP, Vces=330V, Ic=45A, Vce(sat)=1,3V, tf=240nS 74 руб. 0 коп. 103 руб. 0 коп. FGH40N60SMDF Fairchild IGBT, DC=80A, Vce(on)=600V, Pd=349W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247AB-3, tmax-175°C 248 руб. 0 коп. 316 руб. 50 коп. FGH40T100SMD 389 руб. 0 коп. 453 руб. 50 коп. FNA41560B2 168 руб. 50 коп. 215 руб. 0 коп. HGTG11N120CND Fairchild IGBT, DC=43A, Vce(on)=2.4V, Pd=298W, V(br)ceo=1.2kV, корпус-TO-247-3, tmax-150°C 164 руб. 0 коп. 209 руб. 0 коп. IKW40T120 IGBT, DC=75A, Vce(on)=2.3V, Pd=270W, V(br)ceo=1.2kV, корпус-TO-247-3, tmax-150°C 267 руб. 50 коп. 341 руб. 0 коп. IKW50T60 (IKW50N60T) Infineon Technologies IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode, Vce=600V, Ic=50A, Vce(sat)=1,5V, Ptot=333W 278 руб. 0 коп. 313 руб. 50 коп. <100 K4N60LV Infineon Technologies Fast IGBT in NPT-technology, Vce=600V, Ic=4A, Ptot=50W, Vce(sat)=2,3V 74 руб. 0 коп. 93 руб. 50 коп. <10 MG75J2YS50 Toshiba GTR Module Silicon N Channel IGBT 3586 руб. 50 коп. 3397 руб. 0 коп. RJH60T4DPQ Renesas Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching, Vces=600V, Ic=60A, Vce(sat)=1,7V, Pc=235,8W 252 руб. 50 коп. 263 руб. 0 коп. STGW40NC60WD IGBT, DC=70A, Vce(on)=2.5V, Pd=250W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247-3, tmax-150°C 223 руб. 50 коп. 285 руб. 50 коп. VS-GA200SA60UP IGBT, DC=200A, Vce(on)=1.92V, Pd=500W, V(br)ceo=600V, корпус-SOT-227-4, tmax-150°C 3354 руб. 50 коп. 4281 руб. 0 коп. APT 40GP90B Advanced Power Technology POWER MOS 7 IGBT,Vces=900 V, Ic= 100 A, Pd=543W, Vce(on)=2,7V 534 руб. 50 коп. 557 руб. 0 коп. APT 44GA60BD30 Microsemi High Speed PT IGBT, Vces=600V, Ic=78A, Vce=2,0V, Pd=337W 148 руб. 50 коп. 189 руб. 50 коп. APT 50GN60B Advanced Power Technology 600V Field Stop Trench Gate: Low VCE(on) Ic1=107 A 228 руб. 0 коп. 218 руб. 50 коп. <10 APT 68GA60B Microsemi High Speed PT IGBT Vces=600V,Ic=121A,Vce(on)=2V,Pd=520W 386 руб. 50 коп. 338 руб. 0 коп. <10 AUIRG 4PH50S International Rectifier IGBT, DC=57A, Vce(on)=1.75V, Pd=200mW, V(br)ceo=1.2kV, корпус-TO-247AC-3, tmax-150°C 307 руб. 0 коп. 320 руб. 0 коп. AUIRGP 4062D International Rectifier IGBT, DC=48A, Vce(on)=600V, Pd=250W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247AC-3, tmax-175°C 172 руб. 0 коп. 193 руб. 50 коп. <100 AUIRGP 50B60PD1 International Rectifier IGBT, DC=75A, Vce(on)=600V, Pd=390W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247AC-3, tmax-150°C 286 руб. 0 коп. 274 руб. 0 коп. <1000 BTS 2140-1B Infineon Technologies Ignition IGBT Features ?Most Rugged in Industry ?Logic-Level Gate Drive,BVces=400V, Ic=14A, Pd=125W 93 руб. 0 коп. 118 руб. 0 коп. <10 CPV 364M4U International Rectifier IGBT SIP MODULE 600V 10A 4292 руб. 50 коп. 4650 руб. 50 коп.

Страница: [1]2 3  >>   Выводить по 25 50 100 250 позиций