MJD44H11G, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

NPN Silicon Power Transistor, Vceo=80V, Ic=8A, Pd=20W, hfe=60, ft=50 MHz

Наименование производителя: MJD44H11G

Маркировка: J44H11G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 85 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO-252