IRF 6775MTRPBF, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

Digital Audio N-channel MOSFET, Vds=150V, Id=28A, Rds(on)=47 mOhm, Pd=89W

Особенности

• Новейшая технология MOSFET Silicon

• Ключевые параметры оптимизированы для применения в усилителях класса D

• Низкий RDS(on) для повышения эффективности

• Низкий Qg для улучшения THD и повышения эффективности

• Низкий Qrr для улучшения THD и снижения электромагнитных помех

• Низкая паразитная индуктивность корпуса для снижения звона и снижения электромагнитных помех

• Может выдавать до 250 Вт на канал при нагрузке 4 Ом в

Усилителе с полумостовой конфигурацией

• Совместимость с двухсторонним охлаждением

Совместимость с существующими технологиями поверхностного монтажа

Соответствует RoHS, не содержит свинца или бромида

Без свинца (сертифицировано до 260 °C оплавления)

Устройство IRF6775MPbF использует технологию упаковки DirectFETTM. Технология упаковки DirectFETTM обеспечивает более низкую паразитную индуктивность и сопротивление по сравнению с обычной проволочной упаковкой SOIC. Более низкая индуктивность улучшает характеристики электромагнитных помех за счет снижения звона напряжения, сопровождающего быстрые переходные процессы тока. Корпус DirectFETTM совместим с существующими геометриями компоновки, используемыми в силовых приложениях, оборудовании для сборки печатных плат и методах пайки паровой фазой, инфракрасным или конвекционным методом, когда соблюдается примечание по применению AN-1035 относительно метода и процессов производства. Корпус DirectFETTM также допускает двухстороннее охлаждение для максимизации теплопередачи в силовых системах, улучшая тепловое сопротивление и рассеивание мощности. Эти характеристики в совокупности делают этот МОП-транзистор высокоэффективным, прочным и надежным устройством для приложений аудиоусилителей класса D