IRFW644B, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

N-channel Power MOSFET, Vdss=250V, Id=14A, Pd=139W, Rds(on)=0,28 Ohm

Эти силовые полевые транзисторы с N-канальным улучшенным режимом производятся с использованием запатентованной планарной DMOS-технологии Fairchild. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания импульсов высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Эти устройства хорошо подходят для высокоэффективных импульсных преобразователей постоянного тока и импульсных источников питания.

Функции

14 А, 250 В, RDS(on) = 0,28 при VGS 10 В Низкий заряд затвора (типовое 47 нКл) Низкий Crss (типовое 30 пФ) Быстрое переключение 100% лавинное тестирование Улучшенная способность dv/dt

Параметр Напряжение сток-исток - непрерывное (TC = 25°C) Ток стока - непрерывное (TC = 100°C) Ток стока - импульсное

Напряжение затвор-исток Одноимпульсная лавинная энергия Лавинный ток Повторяющаяся лавинная энергия Пиковое восстановление диода dv/dt Рассеиваемая мощность (TA 25°C) *

Рассеиваемая мощность (TC 25°C) — снижение номинальных характеристик выше 25°C Диапазон рабочих температур и температур хранения Максимальная температура вывода для пайки, 1/8 дюйма от корпуса в течение 5 секунд

Обозначение RJC RJA Параметр Тепловое сопротивление, переход-корпус Тепловое сопротивление, переход-окружающая среда * Тепловое сопротивление, переход-окружающая среда Тип ---Макс. 40 62,5 Единицы °C/Вт

* При монтаже на контактную площадку минимального рекомендуемого размера (монтаж на печатной плате)

BVDSS / TJ IDSS IGSSF IGSSR Напряжение пробоя сток-исток Напряжение пробоя Температурный коэффициент Нулевое напряжение затвора Ток стока Ток утечки затвор-корпус, прямой Ток утечки затвор-корпус, обратный VGS = 250 мкА, относительно 25°C VDS 250 В, VGS 0 В VDS = 125°C VGS 30 В, VDS 0 В VGS -30 В, VDS В/°C мкА нА

VGS(th) RDS(on) gFS Пороговое напряжение затвора Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии Прямая крутизна VDS = VGS, 250 мкА VGS 7,0 A VDS 7,0 A

Ciss Coss Crss Входная емкость Выходная емкость Обратная передаточная емкость VDS 25 В, VGS = 1,0 МГц пФ

td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd Время задержки включения Время нарастания включения Время задержки выключения Время спада выключения Общий заряд затвора Заряд затвор-исток Заряд затвор-сток VDS 14 A, VGS 10 В

IS ISM VSD trr Qrr Максимальный непрерывный прямой ток диода сток-исток Максимальный импульсный прямой ток диода сток-исток VGS 14 А Прямое напряжение диода сток-исток Время обратного восстановления Время заряда обратного восстановления VGS 14 А, dIF = 100 А/мкс

Примечания: 1. Повторяющиеся характеристики: ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода = 3,9 мГн, IAS = 14 А, VDD 25, пусковая температура 25 °C 3. ISD 14 А, di/dt 300 А/мкс, VDD BVDSS, пусковая температура 25 °C 4. Импульсный тест: ширина импульса 300 мкс, рабочий цикл 2% 5. Практически не зависит от рабочей температуры

Рисунок 3. Изменение сопротивления в открытом состоянии в зависимости от тока стока и напряжения затвора

Рис. 4. Изменение прямого напряжения на корпусном диоде в зависимости от тока источника и температуры