SPD09P06PL, покупаем в интернете - получаем у себя дома.

SIPMOS Power P-Channel Transistor Logic Level, Vdss=60V,Id=9,7A, Rds(on)=0,25 Ohm, Ptot=42W

Устанавливать Поверхностное крепление

Тип крепления Поверхностное крепление

Пакет/кейс ТО-252-3, ДПак (2 отвода + вкладка), СК-63

Материал транзисторного элемента КРЕМНИЙ

Рабочая Температура -55°C~175°C ТДж

Технологии МОП-транзистор (оксид металла)

Терминальная форма КРЫЛО ЧАЙКИ

Пиковая температура оплавления (C) 260

Текущий рейтинг -30А

Максимальное время при пиковой температуре оплавления (с) 20

Количество выводов 4

Рассеиваемая мощность-макс. 125 Вт Тк

Конфигурация элемента Одинокий

Рабочий режим РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ

Рассеяние мощности 125 Вт

Соединение корпуса ОСУШАТЬ

Тип полевого транзистора P-канал

Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 мОм при 21,5 А, 10 В

Vgs(th) (макс.) @ Id 4 В при 1,7 мА

Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1535 пФ при 25 В

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 30А Тк

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 48 нКл при 10 В

Время нарастания 11 нс

Напряжение сток-исток (Vdss) 60В

Напряжение привода (макс. число оборотов вкл., мин. число оборотов вкл.) 10В

VGS (макс.) ±20В

Время падения (тип.) 20 нс

Время задержки выключения 30 нс

Непрерывный ток стока (ID) 30А

Напряжение от затвора до источника (Vgs) 20В

Сток-источник On Сопротивление-макс. 0,075 Ом

Напряжение пробоя сток-исток -60В

Максимальный импульсный ток стока (IDM) 120А

Рейтинг лавинной энергии (Eas) 250 мДж